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碳化硅芯片設(shè)計(jì)工程師
崗位職責(zé)： 1.進(jìn)行碳化硅MOSFET, IGBT, SBD等功率半導(dǎo)體的器件及工藝仿真,版圖設(shè)計(jì)和工藝流程制定； 2.器件封裝，測(cè)試，特性及失效分析； 3.工藝和設(shè)計(jì)方案優(yōu)化，提高產(chǎn)品性能及良率；碳化硅功率模塊設(shè)計(jì)工程師
崗位職責(zé)： 1、負(fù)責(zé)IGBT/SIC功率模塊布局設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、電/熱/力性能分析和優(yōu)化； 2、負(fù)責(zé)功率模塊可靠性設(shè)計(jì)仿真優(yōu)化； 2、負(fù)責(zé)建立及維護(hù)材料庫(kù)，負(fù)責(zé)產(chǎn)品技術(shù)文檔編制；開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)工程師
崗位職責(zé)： 1、負(fù)責(zé)IGBT/SIC功率模塊布局設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、電/熱/力性能分析和優(yōu)化； 2、負(fù)責(zé)功率模塊可靠性設(shè)計(jì)仿真優(yōu)化；微電子專(zhuān)業(yè)應(yīng)屆畢業(yè)生
崗位職責(zé)：(參與MOS芯片開(kāi)發(fā)） 1、根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)，共同建立MOS（Trench MOS，SGT MOS）芯片設(shè)計(jì)發(fā)展規(guī)劃圖； 2、共同制定芯片設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)項(xiàng)目的目標(biāo)和規(guī)劃，制定明確的項(xiàng)目進(jìn)程表； 3、根據(jù)AE分析，對(duì)所要開(kāi)發(fā)的MOS產(chǎn)品進(jìn)行參數(shù)指標(biāo)的設(shè)定；
0571-56121333